SI1035X-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1035X-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1035X-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device-Gehäuse

SC-89-6
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Leistung - max

250mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

SI1035X-T1-E3CT
SI1035XT1E3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 145mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

180mA, 145mA
Basisteilenummer

SI1035

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Das Folgende sind "SI1035X-T1-E3" -Einziper.

SI1034-B-GM3

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI1035X-T1-E3

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