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1760978S1AHE3/61T-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

S1AHE3/61T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1AHE3/61T
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.8µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    12pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    S1A
S1AFG-M3/6B

S1AFG-M3/6B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
S1AL R3G

S1AL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1AHR3G

S1AHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1AL MQG

S1AL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1AL MHG

S1AL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1AL MTG

S1AL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1AL

S1AL

Beschreibung: SWITCH TOGGLE SPST 15A 125V

Hersteller: NKK Switches
vorrätig
S1AFM-M3/6B

S1AFM-M3/6B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
S1AFK-M3/6A

S1AFK-M3/6A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
S1AL M2G

S1AL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1AHE3/5AT

S1AHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S1AFJ-M3/6B

S1AFJ-M3/6B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
S1AFJ-M3/6A

S1AFJ-M3/6A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
S1AHE3_A/I

S1AHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S1AHE3_A/H

S1AHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S1AFL

S1AFL

Beschreibung: DIODE GP 50V 1A SOD123F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
S1AFK-M3/6B

S1AFK-M3/6B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
S1AFM-M3/6A

S1AFM-M3/6A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S1AFG-M3/6A

S1AFG-M3/6A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
S1AHM2G

S1AHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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