RGL41MHE3_A/I

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Spezifikation

Artikelnummer

RGL41MHE3_A/I
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

RGL41MHE3_A/I.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

1000V
Supplier Device-Gehäuse

DO-213AB
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

500ns
Verpackung / Gehäuse

DO-213AB, MELF (Glass)
Betriebstemperatur - Anschluss

-65°C ~ 175°C
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

35 Weeks
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-213AB
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 1000V
Strom - Richt (Io)

1A
Kapazität @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RGL41MHE3_A/I" -Einziper.

RGL41MHE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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