PLZ4V7B-HG3/H

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Spezifikation

Artikelnummer

PLZ4V7B-HG3/H
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ZENER 4.675V 960MW DO219AC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PLZ4V7B-HG3/H.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Zener (Nom) (Vz)

4.68V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

900mV @ 10mA
Toleranz

±2.67%
Supplier Device-Gehäuse

DO-219AC (microSMF)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PLZ
Leistung - max

960mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DO-219AC
Andere Namen

PLZ4V7B-HG3/H-ND
PLZ4V7B-HG3/HGITR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Impedanz (Max) (Zzt)

25 Ohms
detaillierte Beschreibung

Zener Diode 4.68V 960mW ±2.67% Surface Mount DO-219AC (microSMF)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 1V

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Das Folgende sind "PLZ4V7B-HG3/H" -Einziper.

PLZ4V3A-HG3/H

Beschreibung: DIODE ZENER 4.165V 960MW DO219AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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PLZ4V7B-HG3/H

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