NSB8MTHE3_A/I

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Spezifikation

Artikelnummer

NSB8MTHE3_A/I
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NSB8MTHE3_A/I.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

1000V
Supplier Device-Gehäuse

TO-263AB
Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 1000V 8A Surface Mount TO-263AB
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

10µA @ 1000V
Strom - Richt (Io)

8A
Kapazität @ Vr, F

55pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "NSB8MTHE3_A/I" -Einziper.

NSB8MTHE3/81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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