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1653909IRFBC30APBF-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFBC30APBF

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    IRFBC30APBF
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    74W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    *IRFBC30APBF
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    510pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.6A (Tc)
IRFBC30AL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262

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IRFBC20SPBF

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IRFBC30ASTRLPBF

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IRFBC30ASPBF

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IRFBC30S

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IRFBC30A

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IRFBC30LPBF

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IRFBC30PBF

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IRFBC20STRL

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IRFBC30ALPBF

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IRFBC30

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IRFBC30AS

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IRFBC20PBF

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