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GBL10-M3/51

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GBL10-M3/51
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    1kV
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 4A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    GBL
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    4-SIP, GBL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    46 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBL
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    4A
GBL10-M3/45

GBL10-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL202HD2G

GBL202HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL203HD2G

GBL203HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL08-G

GBL08-G

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 4.0A 800V 2GBJ

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
GBL204HD2G

GBL204HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL205 D2G

GBL205 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL08-M3/51

GBL08-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL10

GBL10

Beschreibung: DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
GBL08-E3/51

GBL08-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL08-M3/45

GBL08-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL10-E3/45

GBL10-E3/45

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL08HD2G

GBL08HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL203 D2G

GBL203 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL201 D2G

GBL201 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL10 D2G

GBL10 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL201HD2G

GBL201HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL202 D2G

GBL202 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL204 D2G

GBL204 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL10-E3/51

GBL10-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL10HD2G

GBL10HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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