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3910600GBL06-E3/51-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

GBL06-E3/51

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GBL06-E3/51
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    600V
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 4A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    GBL
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    4-SIP, GBL
  • Andere Namen
    GBL06-E3/51-ND
    GBL06-E3/51GI
    GBL06E351
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    46 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBL
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
GBL08-G

GBL08-G

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 4.0A 800V 2GBJ

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
GBL06-M3/51

GBL06-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL04-M3/51

GBL04-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 400V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL08-E3/51

GBL08-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL08 D2G

GBL08 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL06-G

GBL06-G

Beschreibung: DIODE BRIDGE 4A 600V 2GBJ

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
GBL04HD2G

GBL04HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL06-E3/45

GBL06-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL04 D2G

GBL04 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL08

GBL08

Beschreibung: DIODE BRIDGE 800V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
GBL04-E3/45

GBL04-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL06

GBL06

Beschreibung: DIODE BRIDGE 600V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
GBL08-M3/45

GBL08-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL06 D2G

GBL06 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL06HD2G

GBL06HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GBL06-M3/45

GBL06-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL04-E3/51

GBL04-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GBL04

GBL04

Beschreibung: DIODE BRIDGE 400V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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GBL08-E3/45

GBL08-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GBL02HD2G

GBL02HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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