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6214765BYG23M-E3/TR-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

BYG23M-E3/TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BYG23M-E3/TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    75ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    BYG23M-E3/GITR
    BYG23M-E3/TR-ND
    BYG23ME3TR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    44 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Avalanche
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1.5A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    BYG23M
BYG23MHE3/TR

BYG23MHE3/TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
BYG23M R3G

BYG23M R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BYG23MHE3_A/I

BYG23MHE3_A/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYG23MHM3_A/H

BYG23MHM3_A/H

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYG23M-M3/TR

BYG23M-M3/TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYG23MHM3/TR3

BYG23MHM3/TR3

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
BYG22DHE3/TR

BYG22DHE3/TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
BYG23M-M3/TR3

BYG23M-M3/TR3

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYG23MHM3/TR

BYG23MHM3/TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
BYG22DHE3/TR3

BYG22DHE3/TR3

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
BYG22DHM3/TR

BYG22DHM3/TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
BYG22DHE3_A/I

BYG22DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYG22DHM3_A/H

BYG22DHM3_A/H

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYG23M M2G

BYG23M M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BYG22DHE3_A/H

BYG22DHE3_A/H

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYG22DHM3_A/I

BYG22DHM3_A/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYG23MHE3/TR3

BYG23MHE3/TR3

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG22DHM3/TR3

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

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BYG23M-E3/TR3

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BYG23MHE3_A/H

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