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6682016

B82412A3331J

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    B82412A3331J
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    FIXED IND 330NH 280MA 650 MOHM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Art
    Wirewound
  • Toleranz
    ±5%
  • Supplier Device-Gehäuse
    1210 (3225 Metric)
  • Größe / Dimension
    0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
  • Abschirmung
    Unshielded
  • Serie
    SIMID
  • Bewertungen
    AEC-Q200
  • Q @ Frequenz
    45 @ 250MHz
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    2-SMD
  • Andere Namen
    B82412A3331J000
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Material - Kern
    Ceramic
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Induktivität Frequenz - Test
    1MHz
  • Induktivität
    330nH
  • Höhe - eingesteckt (max)
    0.075" (1.90mm)
  • Frequenz - Eigenresonanz
    800MHz
  • detaillierte Beschreibung
    330nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 650 mOhm Max 2-SMD
  • DC-Widerstand (DCR)
    650 mOhm Max
  • Aktuelle Bewertung
    280mA
  • Strom - Sättigung
    -
IS42S32400E-6BL-TR

IS42S32400E-6BL-TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig

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