ZXMN2A04DN8TC

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMN2A04DN8TC
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMN2A04DN8TC.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Leistung - max

1.8W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1880pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.1nC @ 5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.9A

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Das Folgende sind "ZXMN2A04DN8TC" -Einziper.

ZXMN2B14FHTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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