ZXMN10A25GTA

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMN10A25GTA
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

1.ZXMN10A25GTA.pdf
2.ZXMN10A25GTA.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-223
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 2.9A, 10V
Verlustleistung (max)

2W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen

ZXMN10A25G
ZXMN10A25GTATR
ZXMN10A25GTR
ZXMN10A25GTR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

859pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 2.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.9A (Ta)

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Das Folgende sind "ZXMN10A25GTA" -Einziper.

ZXMN10A08DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN10A25GTA

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