ZXMHC3A01N8TC

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMHC3A01N8TC
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMHC3A01N8TC.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 2.5A, 10V
Leistung - max

870mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

ZXMHC3A01N8DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V
Typ FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.17A, 1.64A 870mW Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.17A, 1.64A
Basisteilenummer

ZXMHC3A01

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Das Folgende sind "ZXMHC3A01N8TC" -Einziper.

1808Y0630183JCT

Beschreibung: CAP CER 0.018UF 63V C0G/NP0 1808

Hersteller: Knowles Syfer

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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