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6668469ZXMHC10A07N8TC-Bild.Diodes Incorporated

ZXMHC10A07N8TC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ZXMHC10A07N8TC
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ZXMHC10A07N8TC.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Leistung - max
    870mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    ZXMHC10A07N8DICT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    33 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    138pF @ 60V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.9nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    800mA, 680mA
  • Basisteilenummer
    ZXMHC10A07

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Das Folgende sind "ZXMHC10A07N8TC" -Einziper.
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMD65N03N8TA

ZXMD65N03N8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMD65P02N8TA

ZXMD65P02N8TA

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMD65P02N8TC

ZXMD65P02N8TC

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMHC3F381N8TC

ZXMHC3F381N8TC

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMD63P03XTA

ZXMD63P03XTA

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMD63P03XTC

ZXMD63P03XTC

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMHC3A01T8TA

ZXMHC3A01T8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMD65N02N8TA

ZXMD65N02N8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMD63N03XTC

ZXMD63N03XTC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMD63P02XTA

ZXMD63P02XTA

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMD65P03N8TA

ZXMD65P03N8TA

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMHC10A07T8TA

ZXMHC10A07T8TA

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMD63P02XTC

ZXMD63P02XTC

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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