ZVN3310ASTOA

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Spezifikation

Artikelnummer

ZVN3310ASTOA
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZVN3310ASTOA.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

E-Line (TO-92 compatible)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

625mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

E-Line-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 25V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200mA (Ta)

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Das Folgende sind "ZVN3310ASTOA" -Einziper.

ZVN3306ASTZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZVN3310ASTOA

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