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5198561RS3JB-13-Bild.Diodes Incorporated

RS3JB-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS3JB-13
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    3A
  • Spannung - Durchschlag
    SMB
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Cut Tape (CT)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    50pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    RS3JB
    RS3JB13
    RS3JBCT
    RS3JBCT-ND
    RS3JBDICT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    250ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    RS3JB-13
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount SMB
  • Diodenkonfiguration
    5µA @ 600V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.3V @ 3A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    600V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C
RS3JHE3/57T

RS3JHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3J-13

RS3J-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RS3J V7G

RS3J V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3J-M3/57T

RS3J-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3JHM6G

RS3JHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3J-13-F

RS3J-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RS3JHE3_A/H

RS3JHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3JHE3_A/I

RS3JHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3J M6G

RS3J M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3JHE3/9AT

RS3JHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3K V6G

RS3K V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3JB-13-F

RS3JB-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RS3J-M3/9AT

RS3J-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3J R7G

RS3J R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3JHR7G

RS3JHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3K R7G

RS3K R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3K M6G

RS3K M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3J-E3/9AT

RS3J-E3/9AT

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3GHR7G

RS3GHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3J-E3/57T

RS3J-E3/57T

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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