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1480027RS3DB-13-Bild.Diodes Incorporated

RS3DB-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS3DB-13
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 3A SMB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    3A
  • Spannung - Durchschlag
    SMB
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    50pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-214AA, SMB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    RS3DB-13
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount SMB
  • Diodenkonfiguration
    5µA @ 200V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 3A SMB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.3V @ 3A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3BHR7G

RS3BHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3D-E3/57T

RS3D-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3D-E3/9AT

RS3D-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RS3D-13-F

RS3D-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RS3D-13

RS3D-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3D-M3/57T

RS3D-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS3D M6G

RS3D M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RS3D R7G

RS3D R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3D V7G

RS3D V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig

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