MIMD10A-7-F

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Spezifikation

Artikelnummer

MIMD10A-7-F
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MIMD10A-7-F.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-363
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

100 Ohms, 10 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz, 200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA, 500mA
Basisteilenummer

MD10A

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Das Folgende sind "MIMD10A-7-F" -Einziper.

MIMX27CSOMCR-A

Beschreibung: MODULE CARD I.MX27

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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