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2667992HTMN5130SSD-13-Bild.Diodes Incorporated

HTMN5130SSD-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    HTMN5130SSD-13
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 3A, 10V
  • Leistung - max
    1.7W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    HTMN5130SSD-13DI
    HTMN5130SSD-13DI-ND
    HTMN5130SSD-13DITR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    218.7pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.9nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    55V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2.6A 1.7W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.6A
CPS22-LA00A10-SNCSNCNF-RI0RYVAR-W1028-S

CPS22-LA00A10-SNCSNCNF-RI0RYVAR-W1028-S

Beschreibung: SWITCH PUSHBUTTON SPST 100MA 42V

Hersteller: Schurter
vorrätig

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