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286550ES3DB-13-Bild.Diodes Incorporated

ES3DB-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES3DB-13
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 3A SMB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    3A
  • Spannung - Durchschlag
    SMB
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Cut Tape (CT)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    45pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    ES3DB
    ES3DB13
    ES3DBCT
    ES3DBCT-ND
    ES3DBDICT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    25ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    ES3DB-13
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount SMB
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 200V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 3A SMB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    900mV @ 3A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200V
  • Kapazität @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C
ES3D-M3/57T

ES3D-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3DHE3_A/H

ES3DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3DB R5G

ES3DB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES3DHM6G

ES3DHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES3D-M3/9AT

ES3D-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3DHE3_A/I

ES3DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3DHE3/57T

ES3DHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3D/7T

ES3D/7T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3DBHM4G

ES3DBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES3D V7G

ES3D V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES3DHR7G

ES3DHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES3DHE3J_A/I

ES3DHE3J_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3D-E3/57T

ES3D-E3/57T

Beschreibung:

Hersteller: Vishay Semiconductors
vorrätig
ES3D-13

ES3D-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES3D-13-F

ES3D-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES3DB M4G

ES3DB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES3DB-13-F

ES3DB-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ES3DBHR5G

ES3DBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES3D-E3/9AT

ES3D-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3DHE3/9AT

ES3DHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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