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DMTH10H005LCT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMTH10H005LCT
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMTH10H005LCT.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 mOhm @ 13A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    187W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3688pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    114nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 140A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    140A (Tc)

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Das Folgende sind "DMTH10H005LCT" -Einziper.
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Beschreibung: MOSFET 100V 108A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Beschreibung: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Beschreibung: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Beschreibung: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Beschreibung: MOSFET NCH 100V TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Beschreibung: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ

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