DMT3011LDT-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMT3011LDT-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT3011LDT-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

V-DFN3030-8 (Type K)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 6A, 10V
Leistung - max

1.9W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-VDFN Exposed Pad
Andere Namen

DMT3011LDT-7-ND
DMT3011LDT-7DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

641pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A, 10.7A

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DMT3006LPS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

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