DMS3015SSS-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMS3015SSS-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMS3015SSS-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.9 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)

1.55W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

DMS3015SSS-13DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1276pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Body)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 11A (Ta) 1.55W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta)

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Das Folgende sind "DMS3015SSS-13" -Einziper.

RHC2512FT2R61

Beschreibung: RES 2.61 OHM 1% 2W 2512

Hersteller: Stackpole Electronics, Inc.

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Stal***e

2025/05/20

5.0

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