DMP6110SVT-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMP6110SVT-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V TSOT26
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMP6110SVT-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSOT-26
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.2W (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

DMP6110SVT-13DIDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

969pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.2nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 7.3A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.3A (Tc)

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Das Folgende sind "DMP6110SVT-13" -Einziper.

DMP6185SK3-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 9.4A T0252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMP6110SVT-13

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