DMP2022LSSQ-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMP2022LSSQ-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMP2022LSSQ-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

1.6W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

28 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2575pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60.2nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 9.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.3A (Ta)

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Das Folgende sind "DMP2022LSSQ-13" -Einziper.

DMP2033UCB9-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V U-WLB1515-9

Hersteller: Diodes Incorporated

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