DMP1011LFV-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMP1011LFV-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMP1011LFV-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

-6V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7 mOhm @ 12A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2.16W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

913pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 6V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 12V 19A (Tc) 2.16W Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

19A (Tc)

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Das Folgende sind "DMP1011LFV-13" -Einziper.

DMP1045UQ-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

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