DMNH6012LK3Q-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMNH6012LK3Q-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET NCH 60V 80A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMNH6012LK3Q-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252-4L
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

2W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Andere Namen

DMNH6012LK3Q-13-ND
DMNH6012LK3Q-13DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1926pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.2nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 80A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-4L
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Das Folgende sind "DMNH6012LK3Q-13" -Einziper.

DMNH6021SPDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMNH6012LK3Q-13

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