DMN6013LFG-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN6013LFG-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN6013LFG-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2577pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10.3A (Ta), 45A (Tc)

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DMN5L06VAK-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

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