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4727881DMN4800LSSL-13-Bild.Diodes Incorporated

DMN4800LSSL-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN4800LSSL-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN4800LSSL-13.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.46W (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    DMN4800LSSL-13DIDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    798pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.7nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 8A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN4800LSSL-13" -Einziper.
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0LW-13

DMN53D0LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4031SSD-13

DMN4031SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4034SSS-13

DMN4034SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Beschreibung: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4034SSD-13

DMN4034SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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