DMN10H170SK3-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN10H170SK3-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN10H170SK3-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

140 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

42W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

DMN10H170SK3-13DITR
DMN10H170SK313
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1167pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 12A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Tc)

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Das Folgende sind "DMN10H170SK3-13" -Einziper.

DMN10H220LQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN10H170SK3-13

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