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DMN1053UCP4-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN1053UCP4-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN1053UCP4-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

X3-DSN0808-4
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.34W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

4-XFBGA, CSPBGA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

908pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 12V 2.7A (Ta) 1.34W Surface Mount X3-DSN0808-4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.7A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN1053UCP4-7" -Einziper.

DMN1019UVT-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

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