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1331069DMHC3025LSDQ-13-Bild.Diodes Incorporated

DMHC3025LSDQ-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMHC3025LSDQ-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMHC3025LSDQ-13.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 5A, 10V
  • Leistung - max
    1.5W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    DMHC3025LSDQ-13DITR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    590pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.7nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 6A, 4.2A 1.5W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6A, 4.2A

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Das Folgende sind "DMHC3025LSDQ-13" -Einziper.
DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMHA14R5V353M4ATA0

DMHA14R5V353M4ATA0

Beschreibung: SUPERCAPACITOR

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
ALD110900ASAL

ALD110900ASAL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
RFQ
DMHS-1

DMHS-1

Beschreibung: STRAP DMM HANGING

Hersteller: Greenlee Communications
vorrätig
RFQ
DMH-A-001

DMH-A-001

Beschreibung: CONN HOOD DSUB 15-DA ZINC-DIECAS

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
DMH-E-003

DMH-E-003

Beschreibung: CONN BACKSHELL E/9 POS DIECAST

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
DMHC10H170SFJ-13

DMHC10H170SFJ-13

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMHC6070LSD-13

DMHC6070LSD-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APTC60AM242G

APTC60AM242G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI3529DV-T1-E3

SI3529DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DMHC4035LSD-13

DMHC4035LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13

Beschreibung: MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMHE001

DMHE001

Beschreibung: DSUB 9 METAL DIE CAST B/S

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
DMH-A-003

DMH-A-003

Beschreibung: CONN BACKSHELL DB15 DIECAST

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
DMN2028UFU-7

DMN2028UFU-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN5L06VAK-7

DMN5L06VAK-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMH-E-001

DMH-E-001

Beschreibung: CONN BACKSHELL DB9 DIECAST STR

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ

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