DMG1026UVQ-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMG1026UVQ-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

SOT-563
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 500mA, 10V
Leistung - max

650mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

26 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

32pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.45pC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 440mA (Ta) 650mW Surface Mount SOT-563
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

440mA (Ta)

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Das Folgende sind "DMG1026UVQ-7" -Einziper.

DMG1013UWQ-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

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