DMC3018LSD-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMC3018LSD-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMC3018LSD-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 6.9A, 10V
Leistung - max

2.5W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

631pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.4nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 30V 9.1A, 6A 2.5W Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.1A, 6A

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Das Folgende sind "DMC3018LSD-13" -Einziper.

TSM-125-03-LM-DV-P-TR

Beschreibung: .025 SQ. TERMINAL STRIPS

Hersteller: Samtec, Inc.

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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