DDC122TH-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DDC122TH-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DDC122TH-7.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-563
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

-
Widerstand - Basis (R1)

220 Ohms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

26 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 150mW Surface Mount SOT-563
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

DDC122

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Das Folgende sind "DDC122TH-7" -Einziper.

DDC122LH-7

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563

Hersteller: Diodes Incorporated

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