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944848D2G-T-Bild.Diodes Incorporated

D2G-T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    D2G-T
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 1A T1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-1
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    T1, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 1A Through Hole T-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
SR004 B0G

SR004 B0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
MAU211100B

MAU211100B

Beschreibung: DIODE GEN 80V 100MA USSMINI2

Hersteller: Panasonic Electronic Components
vorrätig
RSFKLHMQG

RSFKLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 500MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
FS2D-TP

FS2D-TP

Beschreibung: DIODE 2A 200V HSMA DO-214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
UH4PCCHM3_A/H

UH4PCCHM3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
B360A-E3/61T

B360A-E3/61T

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NTS12100MFST1G

NTS12100MFST1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 12A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
CD214A-B160LF

CD214A-B160LF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
SS23-M3/52T

SS23-M3/52T

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 2A 30V DO-214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IDW12G65C5FKSA1

IDW12G65C5FKSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3

Hersteller: Infineon Technologies
vorrätig
SIDC07D60AF6X1SA1

SIDC07D60AF6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 22.5A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
VS-50SQ080TR

VS-50SQ080TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 5A DO204AR

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RBR2LAM60ATR

RBR2LAM60ATR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
EGL34CHE3_A/I

EGL34CHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES 1V0

ES 1V0

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
SB340EA-G

SB340EA-G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
1F6-TP

1F6-TP

Beschreibung: DIODE GPP FAST 1A R-1

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
MURS160HE3/52T

MURS160HE3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5400-E3/73

1N5400-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RD2006FR-H

RD2006FR-H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig

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