Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > 2DB1182Q-13
Online-Anfrage
Deutsch
28140832DB1182Q-13-Bild.Diodes Incorporated

2DB1182Q-13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
5+
$0.224
50+
$0.179
150+
$0.156
500+
$0.139
2500+
$0.134
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    2DB1182Q-13
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    32V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    800mV @ 200mA, 2A
  • Transistor-Typ
    PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    10W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    2DB1182Q-13DITR
    2DB1182Q13
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    110MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 2A 110MHz 10W Surface Mount TO-252
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    120 @ 500mA, 3V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1µA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    2A
  • Basisteilenummer
    2DB1182
8N4SV75BC-0173CDI8

8N4SV75BC-0173CDI8

Beschreibung: IC OSC VCXO 156.2523MHZ 6CLCC

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden