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IM02ST820K

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IM02ST820K
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IM-2 82 10% RJ4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Art
    Molded
  • Toleranz
    ±10%
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Größe / Dimension
    0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm)
  • Abschirmung
    Unshielded
  • Serie
    IM
  • Bewertungen
    -
  • Q @ Frequenz
    50 @ 2.5MHz
  • Verpackung
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 105°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Material - Kern
    Ferrite
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Induktivität Frequenz - Test
    2.5MHz
  • Induktivität
    82µH
  • Höhe - eingesteckt (max)
    -
  • Frequenz - Eigenresonanz
    14MHz
  • Eigenschaften
    -
  • detaillierte Beschreibung
    82µH Unshielded Molded Inductor 88mA 7.3 Ohm Max Axial
  • DC-Widerstand (DCR)
    7.3 Ohm Max
  • Aktuelle Bewertung
    88mA
  • Strom - Sättigung
    -
MRF7S21110HSR3

MRF7S21110HSR3

Beschreibung: FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig

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