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S29GL256N90TFAR10

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S29GL256N90TFAR10
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 256M PARALLEL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    90ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100, GL-N
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (32M x 8, 16M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Parallel 90ns
  • Zugriffszeit
    90ns
S29GL256N11FFA010

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL256N11TFVR10

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL256P10FFI022

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL256N10TFI010

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL256N11TFI023

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL256P10FFI010

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA

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S29GL256N90TFAR13

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL

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S29GL256N11FFA013

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL

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S29GL256P10FFIS10

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA

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S29GL256P10FFI012

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA

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S29GL256N11TFA023

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Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL

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S29GL256P10FAI022

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S29GL256N11TFA013

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S29GL256P10FFI020

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S29GL256P10FFIS13

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S29GL256N90FFAR22

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S29GL256P10FFI023

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S29GL256P10FFIS12

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S29GL256N11FFA023

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