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2549165S27KL0641DABHV023-Bild.Cypress Semiconductor

S27KL0641DABHV023

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S27KL0641DABHV023
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    DRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    24-FBGA (6x8)
  • Serie
    HyperRAM™ KL
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    24-VBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    64Mb (8M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 100MHz 40ns 24-FBGA (6x8)
  • Uhrfrequenz
    100MHz
  • Zugriffszeit
    40ns
S27KL0641DABHB020

S27KL0641DABHB020

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S27KL0641DABHV020

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

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S27KL0641DABHA033

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S27KS0641DPBHI020

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Beschreibung:

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S27KL0641DABHI033

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Beschreibung: IC 64 MB FLASH MEMORY

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S27KL0641DABHB033

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S27S300D15Y

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S27KL0641DABHI023

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S27KS0641DPBHB023

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ

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Beschreibung: IC NOR

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S27KL0641DABHV033

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Beschreibung: IC 64 MB FLASH MEMORY

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S27KL0641DABHV030

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Beschreibung: IC 64 MB FLASH MEMORY

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S27KS0641DPBHA020

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S27KS0641DPBHV023

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

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