CYD18S72V-133BBI

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Spezifikation

Artikelnummer

CYD18S72V-133BBI
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

CYD18S72V-133BBI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.135 V ~ 3.465 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

484-FBGA (23x23)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

484-BGA
Andere Namen

CYD18S72V133BBI
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

18Mb (256K x 72)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (256K x 72) Parallel 133MHz 5ns 484-FBGA (23x23)
Uhrfrequenz

133MHz
Basisteilenummer

CYD18S72
Zugriffszeit

5ns

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Zahlungsmittel

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "CYD18S72V-133BBI" -Einziper.

CYD18S72V-133BBC

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

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