CY7C1399B-12VC

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Spezifikation

Artikelnummer

CY7C1399B-12VC
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

CY7C1399B-12VC.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

12ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SRAM - Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

28-SOJ
Serie

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Andere Namen

428-1048
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Kb (32K x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 12ns 28-SOJ
Basisteilenummer

CY7C1399
Zugriffszeit

12ns

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Das Folgende sind "CY7C1399B-12VC" -Einziper.

CY7C1393JV18-300BZXC

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

vorrätig

CY7C1399B-12VC

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