CY7C1170KV18-450BZXC

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vorrätig

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Spezifikation

Artikelnummer

CY7C1170KV18-450BZXC
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

CY7C1170KV18-450BZXC.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II+
Supplier Device-Gehäuse

165-FBGA (13x15)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

165-LBGA
Andere Namen

CY7C1170KV18450BZXC
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 450MHz 165-FBGA (13x15)
Uhrfrequenz

450MHz
Basisteilenummer

CY7C1170

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Das Folgende sind "CY7C1170KV18-450BZXC" -Einziper.

CY7C1243KV18-400BZC

Beschreibung: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

vorrätig

CY7C1170KV18-450BZXC

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