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CY7C11481KV18-400BZXC

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Spezifikation

Artikelnummer

CY7C11481KV18-400BZXC
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

CY7C11481KV18-400BZXC.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II+
Supplier Device-Gehäuse

165-FBGA (13x15)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

165-LBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 400MHz 165-FBGA (13x15)
Uhrfrequenz

400MHz
Basisteilenummer

CY7C11481

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Das Folgende sind "CY7C11481KV18-400BZXC" -Einziper.

CY7C11501KV18-400BZXC

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

vorrätig

CY7C11481KV18-400BZXC

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