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4326911CY7C1049G30-10VXI-Bild.Cypress Semiconductor

CY7C1049G30-10VXI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY7C1049G30-10VXI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    10ns
  • Spannungsversorgung
    2.2 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    36-SOJ
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    9 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 10ns 36-SOJ
  • Zugriffszeit
    10ns
CY7C1049G-10ZSXIT

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL

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