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CY621472GN30-45ZSXIT

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Spezifikation

Artikelnummer

CY621472GN30-45ZSXIT
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 4M PARALLEL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

CY621472GN30-45ZSXIT.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

45ns
Spannungsversorgung

2.2 V ~ 3.6 V
Technologie

SRAM - Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

44-TSOP II
Serie

MoBL®
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

4Mb (256K x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 44-TSOP II
Zugriffszeit

45ns

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "CY621472GN30-45ZSXIT" -Einziper.

CY621472E30LL-45ZSXI

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: Cypress Semiconductor

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