CY14B104N-ZS20XCT

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Spezifikation

Artikelnummer

CY14B104N-ZS20XCT
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

CY14B104N-ZS20XCT.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

20ns
Spannungsversorgung

2.7 V ~ 3.6 V
Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Supplier Device-Gehäuse

44-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

4Mb (256K x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

NVSRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 20ns 44-TSOP II
Basisteilenummer

CY14B104
Zugriffszeit

20ns

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Das Folgende sind "CY14B104N-ZS20XCT" -Einziper.

CY14B104N-BA25XIT

Beschreibung: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

vorrätig

CY14B104N-ZS20XCT

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