CXDM4060P TR

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Spezifikation

Artikelnummer

CXDM4060P TR
Hersteller / Marke

Central Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

CXDM4060P TR.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-89
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

1.2W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-243AA
Andere Namen

CXDM4060P TR LEAD FREE
CXDM4060P TR PBFREE
CXDM4060P TR-ND
CXDM4060PTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 40V 6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Ta)

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Das Folgende sind "CXDM4060P TR" -Einziper.

CXDM4060N TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89

Hersteller: Central Semiconductor

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CXDM4060P TR

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