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2N5551

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    2N5551
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    160V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    625mW
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Andere Namen
    2N5551 TIN/LEAD
    2N5551_D26Z
    2N5551CS
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenz - Übergang
    300MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    50nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    600mA
2N5550TFR

2N5550TFR

Beschreibung:

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2N5551CYTA

2N5551CYTA

Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

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2N5550RLRPG

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2N5551RL1G

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2N5551CBU

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2N5550_D26Z

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2N5551,412

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2N5551RL1

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2N5551BU

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2N5551,116

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2N5551CTA

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2N5550RLRP

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2N5551G

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2N5550RLRAG

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