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UPA800T-A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UPA800T-A
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    10V
  • Transistor-Typ
    2 NPN (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-363
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Rauschzahl (dB Typ @ f)
    1.9dB @ 2GHz
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    7.5dB
  • Frequenz - Übergang
    8GHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Transistor 2 NPN (Dual) 10V 35mA 8GHz 200mW Surface Mount SOT-363
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 5mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    35mA
  • Basisteilenummer
    UPA800
UPA801T-A

UPA801T-A

Beschreibung: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
UPA806T-T1

UPA806T-T1

Beschreibung: TRANS NPN HF FT=12GHZ SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
UPA2813T1L-E2-AT

UPA2813T1L-E2-AT

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
UPA2816T1S-E2-AT

UPA2816T1S-E2-AT

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
UPA810T-A

UPA810T-A

Beschreibung: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
UPA2814T1S-E2-AT

UPA2814T1S-E2-AT

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
UPA800T-T1

UPA800T-T1

Beschreibung: TRANS NPN HF FT=8GHZ SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
UPA806T-T1-A

UPA806T-T1-A

Beschreibung: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
UPA672T-T1-A

UPA672T-T1-A

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SC-88

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
UPA3753GR-E1-AT

UPA3753GR-E1-AT

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
UPA2815T1S-E2-AT

UPA2815T1S-E2-AT

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
UPA802T-T1-A

UPA802T-T1-A

Beschreibung: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
UPA806T-A

UPA806T-A

Beschreibung: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
UPA2825T1S-E2-AT

UPA2825T1S-E2-AT

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
UPA2820T1S-E2-AT

UPA2820T1S-E2-AT

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
UPA801T-T1-A

UPA801T-T1-A

Beschreibung: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
UPA802T-A

UPA802T-A

Beschreibung: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
UPA2822T1L-E1-AT

UPA2822T1L-E1-AT

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
UPA2821T1L-E1-AT

UPA2821T1L-E1-AT

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
UPA800T-T1-A

UPA800T-T1-A

Beschreibung: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
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